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    TI 智能锁相关参考设计

  • 随着日益增多的楼宇和希望为其楼宇或住宅改装智能锁(或电子锁)的住宅业主,无线电池供电型智能锁在当今市场中越来越受欢迎。在智能锁应用中,高 
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    用氮化镓重新考虑功率密度

  • 电力电子世界在1959年取得突破,当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。首款商业MOSFET在五年后发布生产 
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    GaN 参考设计

  • 适用于 200V 交流伺服驱动器的三相高 PWM 频率 GaN 逆变器参考设计设计详情下载原理图下载设计指南下载设计文件  高效率和高功率密度  
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