电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双
适用于 200V 交流伺服驱动器的三相高 PWM 频率 GaN 逆变器参考设计设计详情下载原理图下载设计指南下载设计文件 高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计 （包含 TI HV GaN FET ）设
世界瞬息万变，无论是道路、楼宇还是我们所生活的城市，这种高速的变幻可见一斑。全新的高精度单芯片毫米波（mmWave）传感器正在顺应世界高速发展的潮流，为从汽车雷达到工业自动化的众多应用提供支持。这些精密的传
温度是汽车发光二极管(LED)前照灯和尾灯应用中的一大问题。LED可承受高环境温度，同时在大电流下驱动以产生必要的亮度。这些高环境温度与大工作电流相结合，会使LED的结温升高，通常仅额定温度就高达150℃。结温较高
工业电子产品的发展趋势是更小的电路板尺寸、更时尚的外形和更具成本效益。由于这些趋势，电子系统设计人员必须降低印刷电路板（PCB）的尺寸和成本。使用现场可编程门阵列（FPGA）和片上系统（SoC）的工业系统需要多
电容对于同步降压转换器而言，是个至关重要的组件。由于有着各种各样的电容技术，因此，如图1所示，在设计同步降压转换器时需考虑输入和输出电容的参数。 图1：同步降压直流/直流转换器 电力电容的选择参数如下文表
“以太网为什么这么耗电？”是一个很常见的问题。典型的有功功率10/100 Mbps 以太网物理层(PHY)收发器耗电为110mW～300mW，而10/100/1000Mbps千兆以太网PHY耗电为450mW～1000mW。以太网PHY成为板上的最大耗电大户，
今天，我们将讨论一个重要的话题-放大器的输出限制。对于任何应用中的放大器，输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。这些限制基本上由装置电源电压、输出级架构和工艺技术限制设置。大多数线性放
若您是一名设计师，负责将系统中的USB端口迁移到最新的USB标准和USB Type-C连接器，那么您可能已考虑过一些事情。ESD保护首先，与从外部将连接器暴露给用户的所有系统一样，您的系统需具有国际电工委员会（IEC）61
