• 首页
  • 精品博客
  • 信号链
  • 电源管理
  • 嵌入式处理器
  • DLP技术
  • PE
  • 电子书
  1. 全部
  2. 电源模块
  3. LED 驱动器
  4. GaN解决方案
  5. Power
  6. DC/DC
  7. MOSFET和IGBT栅极驱动器
  8. 电池管理
  1. 登录
  2. 注册
  1. 全部
  2. 精品博客
你的位置: TI热门产品 >> GaN解决方案
  • LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器

    LMG1210 是一款 200V 半桥高性能氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求高开关速度、最短死区时间以及高效率的 应用 而设计。当使用较高的辅助电压时,驱动电压由内部 LDO 精确控制至 5V。

    查看详情 >> 够买or样片 >> 查看数据表 >>

更多>> 电子书
  • 你的车上有多少电动机?
  • 如何设计高性能低侧电流感应设计中的印刷电路板
  • LDO基础知识:电源抑制比

友情链接

  • IC技术博客
  • EETOP
  • EETOP BBS
  • TI Designs

@2003-2020 中国电子顶级开发网

京ICP备10050787号 京公网安备:11010502037710